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前驱体

前驱体通常指的是在材料制备过程中,一种用于合成或制备其他物质的中间形态的物质。在半导体制造的薄膜沉积工艺中,前驱体是关键材料,主要用于气相沉积(包括物理沉积PVD、化学气相沉积CVD及原子气相沉积ALD)镀膜过程,以形成半导体制造要求的各种薄膜材料,也可用于半导体外延生长、刻、离子注入掺杂以及清洗等。

二氯二氧化钼

二氯二氧化钼

用作含钼薄膜的重要镀膜前驱体
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四氯化铪

四氯化铪

用于高端集成电路制造ALD/CVD工艺中的high-k 薄膜沉积前驱体;合成含铪薄膜前驱体的关键原料
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BDEAS

BDEAS

ALD/CVD前驱体材料, 用于硅基薄膜沉积
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TDMAH

TDMAH

ALD/CVD的前驱体,用于含铪薄膜沉积;有机铪金属催化剂合成
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TEMAZ

TEMAZ

ALD/CVD的前驱体,用于含锆薄膜沉积;有机锆金属催化剂合成
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TEOS

TEOS

关键CVD/ALD硅基前驱体之一,广泛应用于SiO2 薄膜沉积。
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五氯化钼

五氯化钼

用作氯化催化剂;用于制备有机金属化合物,如六羰基钼。
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四甲基硅烷

四甲基硅烷

ALD/CVD前驱体材料,主要用作试剂、航空燃料、溶剂、核磁共振试剂。
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